سیاست و بازاریابی
سامسونگ حافظه‌ فوق سریع eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی 28 نانومتری به بازار عرضه می‌کند
چهارشنبه 22 اسفند 1397 - 11:40:12
سیاست و بازاریابی - سامسونگ اعلام کرد اواخر سال جاری میلادی حافظه‌ی فوق سریع و کم مصرف eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی 28 نانومتری به بازار عرضه می‌کند.   

سامسونگ ، حافظه‌ی eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی 28 نانومتری با فناوری تولید FD-SOI را معرفی کرد. پیش‌تر نیز اخباری در مورد حافظه فوق سریع MRAM برای گوشی و اینترنت اشیا منتشر شده بود. غول فناوری کره‌ای تاکنون اشاره‌ای به مشتریان محصول جدید خود نکرده است. سامسونگ پیش‌تر گفته بود که ماژول eMRAM می‌تواند به‌راحتی با فناوری 28FDS به تراشه اضافه شود و نیازی نیست که در مراحل ابتدایی فرایند تولید همانند تولید انبوه سیلیکون، FinFET و ترانزیستور FD-SOI یکپارچه‌سازی صورت گیرد. براساس اعلام سامسونگ، انتظار می‌رود اواخر سال جاری میلادی شاهد عرضه‌ی تراشه‌ی جدید با حافظه‌ی یک گیگابایتی eMRAM در بازار باشیم.
مقاله‌های مرتبط: سامسونگ فرایند تولید نسل سوم تراشه‌های 14 نانومتری FinFET را توسعه می‌دهد سامسونگ تولید تراشه‌ 7 نانومتری مبتنی بر فناوری EUV را آغاز کرده است
حافظه‌ی فوق سریع eMRAM، گزینه‌ی امیدوارکننده‌ای برای جایگزینی به‌جای حافظه‌ی فلش جاسازی‌شده است که با چالش‌های بسیاری همچون مشکل مقیاس پذیری مواجه است. حافظه‌ی eMRAM، حافظه‌ای غیر فرار با مقاومت بالا، سرعت خواندن و نوشتن فوق‌العاده و همچنین قدرت نگه‌داری خوبی است. از آنجایی که MRAM با ولتاژ پایین کار می‌کند و در حالت غیرفعال مصرف پاور ندارد، بسیار قدرتمندتر از حافظه‌ی فلش است. MRAM، برای کاربردهای ویژه‌ای همچون اینترنت اشیا مورد استفاده قرار می‌گیرد. سامسونگ در رویداد IEDM ماه دسامبر، فناوری گشتاور انتقال چرخشی (STT) حافظه‌ی فوق سریع حافظه‌ی جدید خود را به‌همراه اتصالات تونل مغناطیسی MTJs در پلتفرم فناوری تولید FD-SOI مبتنی بر لیتوگرافی 28 نانومتری توصیف کرد. STT-MRAM به‌عنوان بهترین فناوری MRAM از لحاظ مقیاس‌پذیری، وابستگی شکلی و مقیاس‌پذیری مغناطیسی در نظر گرفته می‌شود. اینتل رقیب سامسونگ، در کنفرانس 2019 ISSCC که اوایل سال جاری میلادی برگزار شد، جزئیات فناوری eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی 22 نانومتری را معرفی کرد. این حافظه‌ی eMRAM قرار است در تراشه‌ی FinFET مورد استفاده قرار گیرد. همچنین در این رویداد بین‌المللی، اینتل اعلام کرد که قرار است تولید انبوه حافظه‌ی جدید eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی 22 نانومتری به‌زودی آغاز شود. برخی تحلیلگران بازار معتقدند که محصول جدید اینتل برای برخی مشتریان عرضه شده است.
رایان لی، معاون مدیرعامل کارخانه‌ی سامسونگ اعلام کرد: کارخانه‌ی سامسونگ، درکنار فرایند یکپارچه‌سازی eMRAM و استفاده از فناوری‌های جدید فعلی، قصد دارد همچنان به توسعه‌ی eNVM ادامه دهد تا از این طریق بتواند از مزایای رقابتی خاص و متمایزکننده‌ی خود، به‌همراه قابلیت‌های تولید فوق‌العاده‌اش در جهت تأمین نیاز مشتریان و بازار استفاده کند.

http://www.PoliticalMarketing.ir/fa/News/66955/سامسونگ-حافظه‌-فوق-سریع-eMRAM-مبتنی-بر-لیتوگرافی-28-نانومتری-به-بازار-عرضه-می‌کند
بستن   چاپ